Date Log
Đã gửi
Jul 21, 2020
Đã xuất bản
Dec 25, 2018
ẢNH HƯỞNG CỦA LIÊN KẾT SPIN QUỸ ĐẠO LÊN TÍNH CHẤT ĐIỆN TỬ CỦA MoS2 ĐƠN LỚP
Corresponding Author(s) : Nguyễn Văn Hiếu
nvhieu@ued.udn.vn
Tạp chí Khoa học Xã hội, Nhân văn và Giáo dục,
T. 8 S. 4 (2018): TẠP CHÍ KHOA HỌC XÃ HỘI, NHÂN VĂN VÀ GIÁO DỤC
Tóm tắt
Trong bài báo này, chúng tôi nghiên cứu ảnh hưởng của liên kết spin quỹ đạo lên tính chất điện tử của MoS2 đơn lớp được đặt trong điện trường bằng lí thuyết phiếm hàm mật độ. Các tính toán của chúng tôi đã chỉ ra rằng, có sự tách các vùng con ở lân cận mức Fermi trong cấu trúc vùng năng lượng điện tử của MoS2 đơn lớp khi xét đến liên kết quỹ đạo spin. Bên cạnh đó, chúng tôi nhận thấy rằng đã xảy ra sự chuyển pha bán dẫn - kim loại trong MoS2 đơn lớp khi điện trường ngoài bằng 1,0 V/Å.
Từ khóa
MoS2 đơn lớp; tính chất điện tử; lí thuyết phiếm hàm mật độ.
Nguyễn Văn Hiếu, Nguyễn Văn Chương, Lê Thị Thu Phương, Lê Công Nhân, & Nguyễn Văn Hiếu. (2018). ẢNH HƯỞNG CỦA LIÊN KẾT SPIN QUỸ ĐẠO LÊN TÍNH CHẤT ĐIỆN TỬ CỦA MoS2 ĐƠN LỚP. Tạp Chí Khoa học Xã hội, Nhân văn Và Giáo dục, 8(4), 8-12. https://doi.org/10.47393/jshe.v8i4.213
Tải về trích dẫn
Endnote/Zotero/Mendeley (RIS)BibTeX
References
-
[1] K.S. Novoselov, A.K. Geim, S.V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S.V. Dubonos, I.V. Grigorieva, A.A. Firsov (2004). Electric field effect in atomically thin carbon films. Science, 306 (5696), 666-669.
[2] E.P. Randviir, D.A.C. Brownson, C.E. Banks (2014. A decade of graphene research: production, applications and outlook. Materials Today, 17(9), 426-432.
[3] F. Schwierz (2010). Graphene transistors. Nature Nanotechnology, 5, 487-496.
[4] T.C. Berkelbach, M.S. Hybertsen, D.R. Reichman (2013). Theory of neutral and charged excitons in monolayer transition metal dichalcogenides. Physical Review B, 88, 045318-045323.
[5] K.F. Mak, C. Lee, J. Hone, J. Shan, T.F. Heinz (2010). Atomically thin MoS2: A new direct-gap semiconductor. Physical Review Letters, 105, 136805 (4 pages).
[6] K.S. Novoselov, D. Jiang, F. Schedin, T.J. Booth, V.V. Khotkevich, S.V. Morozov, A.K. Geim (2005). Two-dimensional atomic crystals. Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America, 102(30), 10451-10453.
[7] R. Ganatra, Q. Zhang (2014). Few-layer MoS2: A promising layered semiconductor. ACS Nano, 8, 4074-4099.
[8] J.N. Coleman, M. Lotya, A. O’Neill, S.D. Bergin, P.J. King, U. Khan, K. Young, A. Gaucher, S. De, R.J. Smith, I.V. Shvets, S.K. Arora, G. Stanton, H.Y. Kim, K. Lee, G.T. Kim, G.S. Duesberg, T. Hallam, J.J. Boland, J.J. Wang, J.F. Donegan, J.C. Grunlan, G. Moriarty, A. Shmeliov, R.J. Nicholls, J.M. Perkins, E.M. Grieveson, K. Theuwissen, D.W. McComb, P.D. Nellist, V. Nicolosi (2011). Two-dimensional nanosheets produced by liquid exfoliation of layered materials. Science, 331(6017), 568-571.
[9] D. Kim, D. Sun, W. Lu, Z. Cheng, Y. Zhu, D. Le, T.S. Rahman, L. Bartels (2011). Toward the growth of an aligned single-layer MoS2 film. Langmuir, 27(18), 11650-11653.
[10] C.V. Nguyen, N.N. Hieu (2016). Effect of biaxial strain and external electric field on electronic properties of MoS2 monolayer: A first-principle study. Chemical Physics, 468, 9-14.
[11] C. Ataca, M. Topsakal, E. Aktürk, S. Ciraci (2011). A comparative study of lattice dynamics of three- and two-dimensional MoS2. The Journal of Physical Chemistry C, 115, 16354-16361.
[12] S. Lebègue, O. Eriksson (2009). Electronic structure of two-dimensional crystals from ab initio theory. Physical Review B, 79, 115409-115414.
[13] P. Johari, V.B. Shenoy (2011). Tunable dielectric properties of transition metal dichalcogenides. ACS Nano. 5, 5903-5908.
[14] P. Johari, V.B. Shenoy (2012). Tuning the electronic properties of semiconducting transition metal dichalcogenides by applying mechanical strains. ACS Nano, 6, 5449-5456.
[15] U.K. Sen, P. Johari, S. Basu, C. Nayak, S. Mitra (2014). An experimental and computational study to understand the lithium storage mechanism in molybdenum disulfide. Nanoscale, 6, 10243-10254.
[16] H. Guo, T. Yang, P. Tao, Y. Wang, Z. Zhang (2013). High pressure effect on structure, electronic structure, and thermoelectric properties of MoS2. Journal of Applied Physics, 113(1), 013709-013714.
[17] X. Fan, C.H. Chang, W.T. Zheng, J.-L. Kuo, D.J. Singh (2015). The electronic properties of single-layer and multilayer MoS2 under high pressure. The Journal of Physical Chemistry C, 119, 10189-10196.
[18] O. Kohulák, R. Martoňák (2017). New high-pressure phases of MoSe2 and MoTe2. Physical Review B, 95, 054105-054112.
[19] J.P. Perdew, K. Burke, M. Ernzerhof (1996). Generalized gradient approximation made simple. Physical Review Letters, 77, 3865-3868.
[20] J.P. Perdew, K. Burke, M. Ernzerhof (1997). Generalized gradient approximation made simple [Phys. Rev. Lett. 77, 3865 (1996)]. Physical Review Letters, 78, 1396-1396.
[21] G. Paolo, B. Stefano, B. Nicola, C. Matteo, C. Roberto, C. Carlo, C. Davide, L.C. Guido, C. Matteo, D. Ismaila, C. Andrea Dal, G. Stefano de, F. Stefano, F. Guido, G. Ralph, G. Uwe, G. Christos, K. Anton, L. Michele, M.-S. Layla, M. Nicola, M. Francesco, M. Riccardo, P. Stefano, P. Alfredo, P. Lorenzo, S. Carlo, S. Sandro, S. Gabriele, P.S. Ari, S. Alexander, U. Paolo, M.W. Renata (2009). QUANTUM ESPRESSO: a modular and open-source software project for quantum simulations of materials. Journal of Physics: Condensed Matter, 21, 395502 (19 pages).
[22] S. Grimme (2006). Semiempirical GGA‐type density functional constructed with a long‐range dispersion correction. Journal of Computatinal Chemistry, 27(15), 1787-1799.
[23] N.N. Hieu, H.V. Phuc, V. V Ilyasov, N.D Chien, N.A Poklonski, N.V. Hieu, C.V. Nguyen (2017). First-principles study of the structural and electronic properties of graphene/MoS2 interfaces. Journal Applied Physics, 122, 104301 (7 pages).
[24] H. V. Phuc, N. N. Hieu, B. D. Hoi, N. V. Hieu, T. V. Thu, N. M. Hung, V. V. Ilyasov, N. A. Poklonski, C. V. Nguyen (2018). Tuning the electronic properties, effective mass and carrier mobility of MoS2 monolayer by strain engineering: First-principle calculations. Journal of Electronic Materials, 47(1), 730-736.
[25] Y. A. Bychkov and É. I. Rashba (1984). Properties of a 2D electroni gas with lifted spectral defeneracy. JETP Letters 39, 78-81.
[26] A. Manchon, H. C. Koo, J. Nitta, S. M. Frolov, and R. A. Duine (2015). New perspectives for Rashba spin-orbit coupling. Nature Materials, 14, 871-882.