Date Log
HIỆU SUẤT THIẾT BỊ CỦA TRASISTOR MÀNG MỎNG POLY-Si CHẾ TẠO TRÊN LỚP KÍCH THÍCH KẾT TINH YSZ BẰNG PHƯƠNG PHÁP NUNG HAI BƯỚC SỬ DỤNG LASER XUNG
Corresponding Author(s) : Mai Thị Kiều Liên
Tạp chí Khoa học Xã hội, Nhân văn và Giáo dục,
T. 7 S. 5 (2017): TẠP CHÍ KHOA HỌC XÃ HỘI, NHÂN VĂN VÀ GIÁO DỤC
Tóm tắt
Trong nghiên cứu này, chúng tôi đã chế tạo và khảo sát hiệu suất thiết bị của các transistor màng mỏng poly-Si bằng phương pháp nung hai bước sử dụng chùm laser xung trên hai loại đế là thuỷ tinh và YSZ/thuỷ tinh. Kết quả cho thấy các transistor màng mỏng trên đế YSZ/thuỷ tinh có hiệu suất và sự đồng đều giữa các thiết bị tốt hơn, ví dụ như độ linh động trung bình là ~80 cm2/Vs và độ lệch chuẩn của nó là ~18 cm2/Vs, so với ~40 cm2/Vs và ~28 cm2/Vs của các transistor màng mỏng trên đế thuỷ tinh. Kết quả này được coi là nhờ chất lượng tinh thể tốt hơn của màng Si trên đế YSZ/thủy tinh và sự phân bố đồng đều các hạt cũng như các khuyết tật tinh thể, thể hiện tính hiệu quả của hiệu ứng kích thích kết tinh của lớp YSZ. (*YSZ: Yttria-Stabilized Zirconia)
Từ khóa
Tải về trích dẫn
Endnote/Zotero/Mendeley (RIS)BibTeX
-
[1] T. Sameshima, S. Usui, and M. Sekiya (1986). XeCl Excimer laser annealing used in the fabrication of poly-Si TFT's. IEEE Electron Device Lett. 7, 276-278.
[2] S. Uchikoga and N. Ibaraki (2001). Low temperature poly-Si TFT-LCD by excimer laser anneal. Thin Solid Films 383, 19-24.
[3] A. Hara, K. Kitahara, K. Nakajima, and M. Okabe (1999). A New Approach for Form Polycrystalline Silicon by Excimer Laser Irradiation with a Wide Range of Energies. Jpn. J. Appl. Phys. 38, 6624-6628.
[4] S. Horita and H. Sukreen (2009). Low Temperature Deposition and Crystallization of Silicon Film on an HF-Etched Polycrystalline Yttria-Stabilized Zirconia Layer Rinsed with Ethanol Solution. Appl. Phys. Express 2, 041201, 1-3.
[5] S. Horita and S. Hana (2010). Low-Temperature Crystallization of Silicon Films Directly Deposited on Glass Substrates Covered with Yttria-Stabilized Zirconia Layers. Jpn. J. Appl. Phys. 49, 105801, 1-11.
[6] M. T. K. Lien and S. Horita (2013). Improving Crystalline Quality of Si Thin Films Solid-Phase Crystallized on Yttria-Stablized Zirconia Layers by Pulse Lase. Proc. IDW’13, 655-656.
[7] M. T. K. Lien and S. Horita (2014). Raman spectral analysis of Si films solid-phase-crystallized on glass substrates using pulse laser with crystallization-induction layers of yttria-stabilized zirconia. Jpn. J. Appl. Phys. 53, 03CB01, 1-7.
[8] M. T. K. Lien and S. Horita (2014). Application of Two-Step Irradiation Method to a Large Area for Pulsed-Laser Crystallized Poly-Si Thin Films on YSZ. Proc. TFMD’ 14, 90-93.
[9] M. T. K. Lien and S. Horita (2014). Area Expansion of Crystallized Si Films on YSZ Layers by Two-step Method in PLA. Proc. IDW’ 14, 259-260.
[10] M. T. K. Lien and S. Horita (2015). Improving crystalline quality of polycrystalline silicon thin films crystallized on yttria-stabilized zirconia crystallization-induction layers by the two-step irradiation method of pulsed laser annealing. Jpn. J. Appl. Phys. 54, 03CA01, 1-8.
[11] M. T. K. Lien and S. Horita (2016). Material properties of pulsed-laser crystallized Si thin films grown on yttria-stabilized zirconia crystallization-induction layers by two-step irradiation method. Jpn. J. Appl. Phys. 55, 03CB02, 1-8.