Date Log
ẢNH HƯỞNG CỦA MÀNG MỎNG KIM LOẠI ĐẾN CHẤT LƯỢNG KẾT TINH CỦA MÀNG MỎNG SILIC
Corresponding Author(s) : Mai Thị Kiều Liên
Tạp chí Khoa học Xã hội, Nhân văn và Giáo dục,
T. 7 S. 3 (2017): TẠP CHÍ KHOA HỌC XÃ HỘI, NHÂN VĂN VÀ GIÁO DỤC
Tóm tắt
Dựa trên các kết quả thu được cho hai cấu trúc Si/thuỷ tinh và Si/YSZ*/thuỷ tinh, chúng tôi đã khảo sát chất lượng của cấu trúc Si/YSZ/kim loại/thuỷ tinh kết tinh pha rắn bằng các phương pháp một bước và hai bước sử dụng chùm laser xung. Kết quả cho thấy, với cùng thời gian nung và tổng mật độ năng lượng thấp hơn, phương pháp hai bước tạo ra độ kết tinh cao hơn và chất lượng kết tinh tốt hơn so với phương pháp một bước. Điều này chứng tỏ tính hiệu quả của phương pháp hai bước trong việc cải thiện chất lượng kết tinh của màng Si trên YSZ/kim loại/thuỷ tinh. Hơn nữa, lớp kim loại có một chút tác dụng nhiệt lên việc đẩy nhanh quá trình kết tinh của màng Si. Các điều kiện nung được tối ưu để chế tạo transistor màng mỏng poly-Si điện cực đáy (*YSZ: Yttria-Stabilized Zirconia).
Từ khóa
Tải về trích dẫn
Endnote/Zotero/Mendeley (RIS)BibTeX
-
[1] S. Horita and H. Sukreen (2009). Low Temperature Deposition and Crystallization of Silicon Film on an HF-Etched Polycrystalline Yttria-Stabilized Zirconia Layer Rinsed with Ethanol Solution. Appl. Phys. Express 2, 1-3.
[2] S. Horita and S. Hana (2010). Low-Temperature Crystallization of Silicon Films Directly Deposited on Glass Substrates Covered with Yttria-Stabilized Zirconia Layers. Jpn. J. Appl. Phys. 49, 1-11.
[3] M. T. K. Lien, K. Mochizuki, and S. Horita (2013). Effect of a stimulation layer on solid-phase crystallization of an amorphous Si film by pulse laser irradiation. Proc. AM-FPD’13, 175-176.
[4] M. T. K. Lien and S. Horita (2014). Raman spectral analysis of Si films solid-phase-crystallized on glass substrates using pulse laser with crystallization-induction layers of yttria-stabilized zirconia. Jpn. J. Appl. Phys., 53, 03CB01, 1-7.
[5] M. T. K. Lien and S. Horita (2014). Improvement of Crystalline Quality of Poly-Si Thin Films Crystallized on YSZ Layers by New Two-Step Irradiation Method with PLA. Proc. AM-FPD’14, 185-188.
[6] M. T. K. Lien and S. Horita (2013). Improving Crystalline Quality of Si Thin Films Solid-Phase Crystallized on Yttria-Stablized Zirconia Layers by Pulse Lase. Proc. IDW’13, 655-656.
[7] M. T. K. Lien and S. Horita (2015). Improving crystalline quality of polycrystalline silicon thin films crystallized on yttria-stabilized zirconia crystallization-induction layers by the two-step irradiation method of pulsed laser annealing. Jpn. J. Appl. Phys. 54, 1-8.
[8] M. T. K. Lien and S. Horita (2016), Material properties of pulsed-laser crystallized Si thin films grown on yttria-stabilized zirconia crystallization-induction layers by two-step irradiation method. Jpn. J. Appl. Phys. 55, 1-8.
[9] S. Ray, S. Mukhopadhyay, T. Jana, and R. Carius (2002). Transition from amorphous to microcrystalline Si:H: effects of substrate temperature and hydrogen dilution. J. Non-Cryst. Solids, 299-302, 761-766.
[10] David R. Lide (1999). Handbook of Chemistry and Physics. CRC Press LLC USA, 4-31.
[11] H. Sato et al. (1995). A 1.9 M-pixel poly-Si TFT-LCD for HD and computer-data projectors. IEEE Transactions on Consumer Electronics 41, 1181-1188.