Date Log
KẾT TINH NHIỆT ĐỘ THẤP MÀNG MỎNG SILIC VÔ ĐỊNH HÌNH TRÊN ĐIỆN CỰC CỔNG ĐÁY BẰNG CÁCH SỬ DỤNG CÁC PHƯƠNG PHÁP LỚP KÍCH THÍCH KẾT TINH YSZ VÀ KẾT TINH PHA RẮN
Corresponding Author(s) : Mai Thị Kiều Liên
Tạp chí Khoa học Xã hội, Nhân văn và Giáo dục,
T. 6 S. 3 (2016): TẠP CHÍ KHOA HỌC XÃ HỘI, NHÂN VĂN VÀ GIÁO DỤC
Tóm tắt
Chúng tôi đã kết tinh thành công màng mỏng silic vô định hình (a-Si) ở nhiệt độ thấp bằng việc sử dụng lớp kích thích kết tinh ôxit zicôni được ổn định bằng ôxit yttri (YSZ) kết hợp với phương pháp kết tinh pha rắn (SPC). Màng mỏng silic đa tinh thể (poly-Si) được tạo thành từ phương pháp kết tinh này có thể áp dụng cho quá trình chế tạo transitor màng mỏng (TFTs). Khả năng ứng dụng lớp YSZ như một lớp cổng cách điện cũng được khảo sát bằng các phép đo tính chất điện như đo sự phụ thuộc của điện dung vào hiệu điện thế (C-V), sự phụ thuộc của cường độ dòng điện vào hiệu điện thế (I-V). Phép đo C-V cho thấy tính chất tại mặt phân cách giữa lớp YSZ và màng poly-Si là khá tốt. Hơn nữa, hiện tượng trễ khó quan sát thấy. Phép đo I-V cho thấy dòng điện rò là tương đối thấp. Điều này có nghĩa là lớp YSZ được tin tưởng là có thể hoạt động như một lớp cách điện tương đối tốt.
Từ khóa
Tải về trích dẫn
Endnote/Zotero/Mendeley (RIS)BibTeX
-
[1] E. Machida et al. (2012), Crystallization to Polycrystalline Silicon Films by Underwater Laser Annealing, The proceeding of AM-FPD’12 Conference, tr.111-114.
[2] T. Sameshima, S. Usui, and M. Sekiya (1986), XeCl Excimer Laser Annealing used in the Fabrication of Poly-Si TFT’s, IEEE Electron Device Letters, 7, 5, tr.276-278.
[3] S. Uchikoga and N. Ibaraki (2001), Low temperature poly-Si TFT-LCD by excimer laser anneal, Thin Solid Films, 383, tr.19-24.
[4] Y. W. Choi, J. N. Lee, T. W. Jang, and B. T. Ahn (1999), Thin-film transistors fabricated with poly-Si films crystallized at low temperature by microwave annealing, IEEE Electron Device Letters, 20, tr.2-4.
[5] K. Pangal, J. C. Sturm, S. Wagner, and T. H. Buyuklimanli (1999), Hydrogen plasma enhanced crystallization of hydrogenated amorphous silicon films, J. Appl. Phys., 85, tr.1900.
[6] R. Kakkad et al. (1989), Crystallized Si films by low-temperature rapid thermal annealing of amorphous silicon, J. Appl. Phys., 65, 5, tr.2069-2072.
[7] G. Liu and S. J. Fonash (1989), Selective area crystallization of amorphous silicon films by low temperature rapid thermal annealing, Appl. Phys. Lett., 55, 7, tr.660-662.
[8] R. C. Cammarata, C. V. Thompson, C. Hayzelden, and K. N. Tu (1990), Silicide precipitation and silicon crystallization in nickel implanted amorphous silicon thin films, Journal of Material Research, 5, tr.2133-2138.
[9] S. Y. Yoon et al. (1997), Low temperature metal induced crystallization of amorphous silicon using a Ni solution, J. Appl. Phys., 82, 11, tr.5865-5867.
[10] G. Radnoczi et al. (1991), Al induced crystallization of a-Si, J. Appl. Phys., 69, 9, tr.6394-6399.
[11] N. H. Nickel (2003), Laser crystallization of silicon, Elsevier, vol. 75.
[12] R. A. Lemons et al. (1982), Laser crystallization of Si films on glass, Appl. Phys. Lett., 40, tr.469.
[13] T. E. Dyer et al. (1993), Polysilicon produced by excimer (ArF) laser crystallisation and low-temperature (600°C) furnace crystallisation of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H), J. Non-Cryst. Solids, 164-166, tr.1001-1004.
[14] T. Sameshima, M. Hara, and S. Usui (1989), Measuring the Temperature of a Quartz Substrate during and after the Pulsed Laser-Induced Crystallization of a-Si:H, Jpn. J. Appl. Phys., 28, 12, tr.L2131-L2133.
[15] J. C. C. Fan and H. J. Zeiger (1975), Crystallization of amorphous silicon films by Nd:YAG laser heating, Appl. Phys. Lett. 27, 4, tr.224-226.
[16] S. Horita et al. (2006), Fabrication of Crystallized Si Film Deposited on a Polycrystalline YSZ Film/Glass Substrate at 500°C, MRS, 910, tr.557.
[17] S. Horita and S. Hana (2010), Low-Temperature Crystallization of Silicon Films Directly Deposited on Glass Substrates Covered with Yttria-Stabilized Zirconia Layers, Jpn. J. Appl. Phys., 49, 105801, tr.1-11.
[18] S. Hana, T. Akahori, and S. Horita (2009), The Proceeding of IDW’9, FMC1-1, tr.271.
[19] S. Horita and T. Akahori (2010), Abst. (7th Annual Meet.); Thin Film Materials & Devices Meeting, 6P12 [in Japanese].
[20] S. Hana, K. Nishioka, and S. Horita (2009), Enhancement of the crystalline quality of reactively sputtered yttria-stabilized zirconia by oxidation of the metallic target surface, Thin Solid Films, 517, tr.5830-5836.
[21] S. Ray, S. Mukhopadhyay, T. Jana, and R. Carius (2002), Transition from amorphous to microcrystalline Si:H: effects of substrate temperature and hydrogen dilution, J. Non-Cryst. Solids, 299–302, tr.761-766