Date Log
NGHIÊN CỨU HÌNH THÁI HỌC TINH THỂ CỦA MÀNG DÀY AlN CHẾ TẠO TRÊN ĐẾ ĐƯỢC TẠO RÃNH -Al2O3 BẰNG NHIỄU XẠ TIA X
Corresponding Author(s) : Đinh Thành Khẩn
Tạp chí Khoa học Xã hội, Nhân văn và Giáo dục,
T. 7 S. 5 (2017): TẠP CHÍ KHOA HỌC XÃ HỘI, NHÂN VĂN VÀ GIÁO DỤC
Tóm tắt
Hình thái học tinh thể như cấu trúc miền, sự nghiêng mạng trong màng tinh thể nhôm nitrua (AlN) đã được nghiên cứu sử dụng các phép đo nhiễu xạ tia X. Các kết quả cho thấy đế tạo rãnh α-Al2O3 có ảnh hưởng mạnh đến hình thái học tinh thể của màng AlN. Hình thái học tinh thể của màng AlN có tính chất bất đẳng hướng giữa hai hướng tinh thể và . Màng tinh thể AlN bao gồm một vài miền sắp xếp theo hướng và nghiêng theo các góc khác nhau đối với hướng này. Tuy nhiên, các miền tinh thể của màng AlN lại định hướng song song nhau trong hướng . Các kết quả này là do ảnh hưởng của cơ chế phát triển của màng AlN trên đế tạo rãnh α-Al2O3 và sự giãn đàn hồi của biến dạng dọc theo hướng phát triển của màng.
Từ khóa
Tải về trích dẫn
Endnote/Zotero/Mendeley (RIS)BibTeX
-
[1] Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. Makimoto (2006). An Aluminium Nitride Light-Emitting Diode with a Wavelength of 210 Nanometres. Nature (London), 441, 325-328.
[2] H. Hirayama, S. Fujikawa, N. Noguchi, J. Norimatsu, T. Takano,K. Tsubaki, and N. Kamata (2009). 222-282 nm AlGaN and InAlGaN-Based Deep-UV Leds Fabricated on High-Quality Aln on Sapphire. Phys. Status Solidi A, 206, 1176-1182.
[3] R. McClintock, A. Yasan, K. Mayes, D. Shiell, S. R. Darvish, P. Kung, and M. Razeghi (2004). High Quantum Efficiency Algan Solar-Blind P-I-N Photodiodes. Appl. Phys. Lett., 84, 1248-1250.
[4] K. Nakano, M. Imura, G. Narita, T. Kitano, Y. Hirose, N. Fujimoto, N. Okada, T. Kawashima, K. Iida, K. Balakrishnan, M. Tsuda, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki (2006). Epitaxial Lateral Overgrowth of Aln Layers on Patterned Sapphire Substrates. Phys. Status Solidi A, 203, 1632-1635.
[5] S. A. Newman, D. S. Kamber, T. J. Baker, Y. Wu, F. Wu, Z. Chen, S. Namakura, J. S. Speck, and S. P. DenBaars (2009). Lateral Epitaxial Overgrowth of (0001) Aln on Patterned Sapphire Using Hydride Vapor Phase Epitaxy. Appl. Phys. Lett., 94, 121906.
[6] D.T. Khan, S. Takeuchi, J. Kikkawa, Y. Nakamura, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Imai, S. Kimura, O. Sakata, A. Sakai (2013). Cross-Sectional X-Ray Microdiffraction Study of A Thick Aln Flm Grown on a Trench-Patterned Aln/Α-Al2O3 Template. J. Cryst. Growth, 381, 37-42.
[7] S. Einfeldt, A.M. Roskowski, E.A. Preble, R.F. Davis (2002). Strain and Crystallographic Tilt in Uncoalesced Gan Layers Grown by Maskless Pendeoepitaxy. Appl. Phys. Lett., 80, 953-955.